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蓋革模式InGaAs 雪崩光電二極管
發布時間:2019-04-29 15:00:57 點擊瀏覽:


InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是單光子檢測的專用器件,是量子通信設備中單光子檢測的核心器件。該產品由我司與CETC研究所聯合研制,打破以往該類器件對進口的依賴,且具有優秀的設計理念與工藝水平,可滿足量子信息領域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求。

正常工作時該器件的反向工作電壓大于二極管反向擊穿電壓(即“蓋革模式”),此時當單光子入射到APD管的光接收區時,APD管會產生雪崩脈沖電流。通過脈沖檢測電路把脈沖電流信號轉換為標準數據信號,實現對單光子探測功能。該器件的光譜響應范圍是950~1650nm。



關鍵特性

·單光子檢測

·蓋革模式工作

·高響應度

·高探測效率

·超低噪聲

·尾纖封裝

·安裝方便


典型應用

·量子通信

·熒光檢測

·3D成像

·激光測距

·環境檢測

·時間相關計數等












線性模式參數(室溫295K,所有電壓和電流采用默認值)
響應度
8-11.0A/W
反向擊穿電壓
60-80v
蓋革模式參數
光子探測效率
10%-20%





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